本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,特別涉及一種正面帶深槽的大背腔釋放方法。、刻蝕工藝是半導(dǎo)體制造工藝中關(guān)鍵技術(shù)之一。在進(jìn)行某些特殊的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造過程中,需要通過背腔釋放工藝(即將某些結(jié)構(gòu)底部的襯底材料全部刻蝕去除干凈)實(shí)現(xiàn)一些結(jié)構(gòu)的懸空,從而通過所得的懸空結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)某些特點(diǎn)的功能。、目前,對(duì)于一...