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微觀裝置的制造及其處理技術(shù)
  • 一種基于壓電疊層結(jié)構(gòu)的MEMS芯片封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法與流程
    本發(fā)明涉及mems芯片封裝半導(dǎo)體工藝,尤其涉及一種基于壓電疊層結(jié)構(gòu)的mems芯片封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法。、mems芯片是一種將機(jī)械元件、傳感器、執(zhí)行器與電子電路集成在同一硅基板上的微型系統(tǒng)。微機(jī)電系統(tǒng)是在微電子技術(shù)(半導(dǎo)體制造技術(shù))基礎(chǔ)上發(fā)展起來的,融合了光刻、腐蝕、薄膜、liga、硅微加工...
  • 具有橋接構(gòu)象移位受體的集成MEMS傳感器的制作方法
    本申請(qǐng)總體上涉及具有微機(jī)電系統(tǒng)(mems)傳感器的裝置,并且更具體地涉及用于檢測(cè)、鑒定和量化目標(biāo)分析物的裝置和方法。、現(xiàn)有技術(shù)的分析物診斷技術(shù)采用基礎(chǔ)化學(xué)和分析儀器,諸如分光光度法、氣相色譜法或液相色譜法。在本討論的上下文中,分析物被定義為尋求關(guān)于其信息的任何無機(jī)或有機(jī)化合物或材料,這些信...
  • MEMS部件及其振動(dòng)空腔結(jié)構(gòu)和液體噴出頭的制作方法
    本公開涉及mems(micro?electro?mechanical?systems,微機(jī)電系統(tǒng)),尤其涉及一種mems部件及其振動(dòng)空腔結(jié)構(gòu)和液體噴出頭。、對(duì)于微機(jī)電系統(tǒng)壓電式液體噴出頭而言,液滴尺寸由壓電式致動(dòng)器結(jié)構(gòu)的振動(dòng)膜層的形變體積決定。振動(dòng)膜層的形變體積與振動(dòng)空腔腔體的長(zhǎng)寬設(shè)計(jì)直接...
  • 壓電式致動(dòng)器結(jié)構(gòu)、MEMS部件和液體噴出頭的制作方法
    本公開涉及mems(micro?electro?mechanical?systems,微機(jī)電系統(tǒng)),尤其涉及一種壓電式致動(dòng)器結(jié)構(gòu)、mems部件和液體噴出頭。、在壓電式噴墨頭的技術(shù)路線中,微機(jī)電系統(tǒng)具備一些獨(dú)特的技術(shù)特點(diǎn),如高集成度、高加工精度、大規(guī)模量產(chǎn)等,這些技術(shù)優(yōu)勢(shì)使得mems壓電式噴...
  • 一種鉑金屬剝離方法與流程
    本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造,特別是涉及一種鉑金屬剝離方法。、壓力傳感器是一種用來檢測(cè)壓力信號(hào),將壓力信號(hào)按一定規(guī)律轉(zhuǎn)化為電信號(hào)的器件,廣泛應(yīng)用于各類生產(chǎn)、工業(yè)及航空航天領(lǐng)域。隨著應(yīng)用領(lǐng)域的細(xì)分,高溫油井、各類發(fā)動(dòng)機(jī)腔體等高溫惡劣環(huán)境下的壓力測(cè)量愈發(fā)重要,目前耐高溫金屬高可靠性及其制備方案穩(wěn)定性是...
  • 真空包封的制作方法
    本公開涉及一種真空包封(encapsulation),更具體地,涉及使用覆蓋件-晶圓封裝的真空包封。、包括非制冷微測(cè)輻射熱計(jì)傳感器在內(nèi)的微機(jī)電系統(tǒng)(mems)器件可能需要低于毫托的維持壓力用于適當(dāng)性能。這可以通過在真空環(huán)境中形成氣密封來實(shí)現(xiàn),其也稱為真空封裝??梢孕纬蓺饷芊獾姆椒ㄓ泻芏?,包...
  • MEMS部件及其支撐結(jié)構(gòu)和液體噴出頭的制作方法
    本公開涉及mems(micro?electro-mechanical?systems,微機(jī)電系統(tǒng)),尤其涉及一種mems部件及其支撐結(jié)構(gòu)和液體噴出頭。、微機(jī)電系統(tǒng)的壓電式噴頭的致動(dòng)器結(jié)構(gòu)中通常存在一層薄膜(振動(dòng)膜),通過逆壓電效應(yīng)驅(qū)動(dòng)致動(dòng)器結(jié)構(gòu)中的壓電材料,可以使該薄膜產(chǎn)生形變從而對(duì)振動(dòng)腔...
  • 一種正面帶深槽的大背腔釋放方法與流程
    本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,特別涉及一種正面帶深槽的大背腔釋放方法。、刻蝕工藝是半導(dǎo)體制造工藝中關(guān)鍵技術(shù)之一。在進(jìn)行某些特殊的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造過程中,需要通過背腔釋放工藝(即將某些結(jié)構(gòu)底部的襯底材料全部刻蝕去除干凈)實(shí)現(xiàn)一些結(jié)構(gòu)的懸空,從而通過所得的懸空結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)某些特點(diǎn)的功能。、目前,對(duì)于一...
  • 具有改善的機(jī)械魯棒性的微機(jī)電結(jié)構(gòu)的制作方法
    本公開涉及具有改善的機(jī)械魯棒性的微機(jī)電結(jié)構(gòu)。、眾所周知,利用半導(dǎo)體技術(shù)制成的(微機(jī)電系統(tǒng)(microelectromechanicalsystem,mems)型的)微機(jī)電結(jié)構(gòu)被用于提供多種電子設(shè)備,諸如慣性感測(cè)設(shè)備(例如,陀螺儀或加速度計(jì))、諧振器、致動(dòng)器等。、例如,已知微機(jī)電結(jié)構(gòu)具有移動(dòng)...
  • 一種半導(dǎo)體器件及其制造方法和電子裝置與流程
    本發(fā)明涉及半導(dǎo)體,具體而言涉及一種半導(dǎo)體器件及其制造方法和電子裝置。、mems(micro-electro-mechanical?system,即微機(jī)電系統(tǒng))電容壓力傳感器的基本原理是利用電容變化來測(cè)量壓力。它包括一個(gè)可移動(dòng)的薄膜和兩個(gè)固定的電極,當(dāng)薄膜受到壓力時(shí),它會(huì)發(fā)生形變,導(dǎo)致兩個(gè)電...
  • 封裝器件及封裝方法與流程
    本申請(qǐng)涉及器件封裝,特別是涉及一種封裝器件及封裝方法。、鍵合是mems(micro-electro-mechanical?system,微機(jī)電系統(tǒng))領(lǐng)域中一項(xiàng)關(guān)鍵工藝技術(shù),它是指通過化學(xué)和物理作用將兩片或多片晶圓(或其他基板,如玻璃)永久或臨時(shí)地結(jié)合在一起的過程。、目前常用鍵合工藝?yán)绻簿?..
  • 一種垂直梳齒驅(qū)動(dòng)的MEMS微鏡的制備方法
    本發(fā)明屬于mems微鏡制備,涉及一種垂直梳齒驅(qū)動(dòng)的mems微鏡的制備方法。、垂直梳齒驅(qū)動(dòng)的mems微鏡的上層梳齒和下層梳齒通常由正反面套刻或由自對(duì)準(zhǔn)的復(fù)合掩膜刻蝕工藝形成。通過正反面套刻的方式形成的上層梳齒和下層梳齒,正反面的套刻誤差會(huì)直接傳遞到上層梳齒和下層梳齒的位置關(guān)系上,在誤差較大的...
  • 形貌可編程的針尖型納米線、顯微鏡探針及制備方法
    本發(fā)明屬于納米線和顯微鏡探針。主要是涉及大規(guī)模制備形貌可編程的針尖型納米線方法及顯微鏡探針,形貌可編程的針尖型納米線是基于引導(dǎo)溝道形貌可編程的平面金屬催化生長(zhǎng)的納米線。、原子力顯微鏡(afm)作為納米科技領(lǐng)域的關(guān)鍵工具,自發(fā)明以來在材料科學(xué)、生物學(xué)和醫(yī)學(xué)研究中發(fā)揮了不可替代的作用。afm探...
  • 一種MEMS壓力傳感器及其制造方法、電子裝置與流程
    本發(fā)明涉及半導(dǎo)體,具體而言涉及一種mems壓力傳感器及其制造方法、電子裝置。、mems壓力傳感器是在mems工藝基礎(chǔ)上發(fā)展起來的前沿研究領(lǐng)域,其適用于高沖擊、高過載、導(dǎo)電、腐蝕、輻射等惡劣環(huán)境,并廣泛應(yīng)用于航空航天、電子、工業(yè)、醫(yī)療衛(wèi)生與環(huán)境監(jiān)測(cè)等領(lǐng)域。其中,相比于壓阻式壓力傳感器,電容式...
  • 用于制造具有蓋結(jié)構(gòu)的微機(jī)電裝置的方法和具有蓋結(jié)構(gòu)的微機(jī)電裝置與流程
    本發(fā)明涉及一種用于制造微機(jī)電裝置的方法和一種微機(jī)電裝置。、由現(xiàn)有技術(shù)已知微機(jī)電裝置、也稱為mems裝置和其制造方法。、us????b公開了一種微機(jī)電裝置和其制造方法。所述裝置由半導(dǎo)體材料構(gòu)成并且具有帶有多個(gè)穴腔的傳感器區(qū)域。具有穴腔入口的蓋晶圓覆蓋所述傳感器區(qū)域。、us????b說明了一種...
  • 一種鍵合結(jié)構(gòu)、慣性傳感器件和鍵合方法與流程
    本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體,具體而言,涉及一種鍵合結(jié)構(gòu)、慣性傳感器件和鍵合方法。、在mems晶圓級(jí)封裝中,共晶鍵合技術(shù)(如ge/al、ge/si體系)因其低溫工藝優(yōu)勢(shì)被廣泛用于兩個(gè)晶片之間的集成。其中,金屬共晶鍵合是一種常用的方式,具體是高溫下兩種特定金屬熔化后會(huì)發(fā)生熔融反應(yīng),形成合金,合金以液體的...
  • MEMS膜片結(jié)構(gòu)及其制造方法與流程
    本公開涉及半導(dǎo)體器件制造,尤其涉及一種mems膜片結(jié)構(gòu)及其制造方法。、膜片結(jié)構(gòu)是微電子機(jī)械系統(tǒng)(mems)器件中的典型結(jié)構(gòu)。在傳統(tǒng)的制造工藝中,襯底上的膜片結(jié)構(gòu)通常采用雙面光刻結(jié)合背面深刻蝕的方法來實(shí)現(xiàn)。具體而言,首先在襯底的正面進(jìn)行光刻以定義器件區(qū)域,然后從襯底的背面對(duì)準(zhǔn)正面圖形并進(jìn)行光...
  • 一種應(yīng)力釋放式微同軸傳輸線的制造方法及產(chǎn)品與流程
    本發(fā)明涉及微電子機(jī)械系統(tǒng)制造,尤其涉及一種應(yīng)力釋放式微同軸傳輸線的制造方法。、在微同軸結(jié)構(gòu)的制造過程中,通常采用犧牲層工藝形成空氣填充的同軸傳輸線結(jié)構(gòu),目前常用的犧牲層材料包括厚光刻膠或干膜,然而,這兩種技術(shù)都存在著一些問題。、當(dāng)將厚光刻膠作為犧牲層時(shí),由于旋涂難度大,膠厚不均一,內(nèi)部應(yīng)力...
  • 本發(fā)明屬于光控微流控,具體是指集成陶瓷材料的多層結(jié)構(gòu)光控微流閥制作方法。、微流閥是微流控系統(tǒng)的核心控制元件,其性能直接決定系統(tǒng)的流體控制精度與可靠性?,F(xiàn)有微流閥主要采用聚合物(如?pdms)、金屬或玻璃作為基材:聚合物基材雖具備良好的柔韌性與光響應(yīng)適配性,但耐高溫(通常<℃)、耐腐蝕性差,...
  • 溶液法高通量制備精準(zhǔn)定位極小尺寸圖形化原子級(jí)納米結(jié)構(gòu)的方法及應(yīng)用
    本發(fā)明涉及一種溶液法高通量制備精準(zhǔn)定位極小尺寸圖形化原子級(jí)納米結(jié)構(gòu)的方法及應(yīng)用,屬于半導(dǎo)體科學(xué)與信息材料。、電子設(shè)備的發(fā)展趨勢(shì)正在朝向更小型化、智能化和集成化方向演進(jìn),這直接推動(dòng)了芯片制造技術(shù)的持續(xù)進(jìn)步,以遵循“摩爾定律”的步伐。在芯片生產(chǎn)過程中,光刻技術(shù)是最關(guān)鍵的環(huán)節(jié),也是最復(fù)雜和成本最...
技術(shù)分類