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本發(fā)明涉及一種微機電結(jié)構(gòu)元件。、如今用于微流體的微機電（mems）揚聲器和泵大多數(shù)實施為平面結(jié)構(gòu)，其中，振動的膜片是如此可激勵的，使得對流體的排擠和/或壓縮可以相對于膜片平面垂直地進行。典型地借助壓電效應或靜電效應進行對這樣的膜片的激勵。這種系統(tǒng)具有缺點，即對高流體體積的排擠伴隨大面積的膜...

本發(fā)明屬于醫(yī)療和半導體微細加工，尤其涉及一種錐形硅基中空微針陣列及其制備方法。、硅是一種具有高硬度、高機械強度和良好生物相容性的材料，結(jié)合微機電系統(tǒng)(mems)技術可加工制造各種三維結(jié)構(gòu)，以實現(xiàn)其功能性。微針是mems技術的一個成功應用，硅基中空微針是一種由硅材料制成的具有中空結(jié)構(gòu)的微針，...

本發(fā)明涉及半導體器件，尤其涉及一種基于壓電疊層的可調(diào)諧mems結(jié)構(gòu)。、微機電系統(tǒng)（mems,?micro-electro-mechanical?system），也叫作微電子機械系統(tǒng)、微系統(tǒng)、微機械等，指尺寸在幾毫米乃至更小的高科技裝置。微機電系統(tǒng)其內(nèi)部結(jié)構(gòu)一般在微米甚至納米量級，是一個獨立...

本發(fā)明屬于mems傳感器，具體涉及一種mems傳感器器件封裝結(jié)構(gòu)。、mems傳感器是采用微電子和微機械加工技術制造出來的新型傳感器，與傳統(tǒng)的傳感器相比，它具有體積小、重量輕、成本低、功耗低、可靠性高、適用于批量化生產(chǎn)、易于集成和實現(xiàn)智能化的特點。、目前，mems傳感器封裝結(jié)構(gòu)主要可分為金屬...

本發(fā)明涉及半導體，特別涉及一種空腔結(jié)構(gòu)及其形成方法。、隨著消費電子、物聯(lián)網(wǎng)及可穿戴設備對音頻性能要求的不斷提升，微機電系統(tǒng)(mems)麥克風的設計面臨著在高性能與高可靠性之間取得平衡的持續(xù)挑戰(zhàn)。其中，背腔(back?cavity)的尺寸增大已成為提升器件聲學性能的關鍵技術路徑。增大背腔體積...

本發(fā)明屬于芯片加工的，具體涉及mems晶圓的復合刻蝕方法及具有預劃片道的晶圓。、晶圓劃片是半導體器件制備工藝過程中至關重要的工序，具有不可替代性，其過程涉及將已完成mems制備工藝的整片晶圓分割成單個獨立的芯片。隨著半導體器件技術向著更高集成度、更小特征尺寸和新型材料的方向發(fā)展，傳統(tǒng)的劃片...

本發(fā)明涉及半導體，具體而言涉及一種mems器件及其制造方法。、微機電系統(tǒng)(micro-electro-mechanical?system，mems)技術是近年來高速發(fā)展的一項高新技術，它采用先進的半導體制造工藝，實現(xiàn)傳感器、驅(qū)動器等器件的批量制造。與對應的傳統(tǒng)器件相比，mems器件在體積、...

本發(fā)明涉及機電微系統(tǒng)和/或襯底的領域，特別是涉及基于膜的器件的領域。具體地，本發(fā)明涉及用于轉(zhuǎn)移旨在共同密封形成在載體襯底上的多個空腔的層的方法。更具體地，根據(jù)本發(fā)明的轉(zhuǎn)移方法旨在限制易于出現(xiàn)在載體襯底的輪廓中的區(qū)域（被稱為非轉(zhuǎn)移區(qū)域）的出現(xiàn)。、當形成懸浮膜和/或密封空腔時，層轉(zhuǎn)移方法如今被...

本發(fā)明涉及一種在（）型硅片上制作硅納米線的方法，屬于mems。、硅納米線因兼具硅材料優(yōu)異的半導體特性與納米尺度下的獨特效應，在納米電子學、生物傳感器、能源存儲等領域具有顯著的應用價值，其可控制備技術是相關領域產(chǎn)業(yè)化的核心瓶頸。當前硅納米線的制備方法分為“自上而下”與“自下而上”兩大類，均存...

本發(fā)明涉及超聲換能器，尤其涉及一種mems結(jié)構(gòu)及其制備方法、超聲換能器單元。、壓電式微機械超聲換能器(pmut)和電容式微機械超聲換能器(cmut)是近年來發(fā)展起來的新型微機電系統(tǒng)(mems)超聲換能器，相較于傳統(tǒng)的塊體壓電陶瓷換能器，它們具備小型化、易于大規(guī)模陣列集成、頻率帶寬更寬、與c...

本發(fā)明涉及半導體封裝，具體涉及一種晶圓級封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法。、晶圓級封裝方式憑借其較低的成本、簡單的結(jié)構(gòu)等諸多優(yōu)點被廣泛應用于半導體封裝中。晶圓級結(jié)構(gòu)包括窗片和芯片，一般是先對窗片深硅刻蝕，形成凸臺及深腔，然后在凸臺上電鍍焊料膜層，再在深腔中沉積增透膜以及吸氣劑，之后將窗片和芯片通過焊料膜...

本發(fā)明涉及mems，尤其涉及一種基于表面硅工藝的mems制備方法及器件。、mems(微電子機械系統(tǒng))是隨著半導體集成電路微細加工技術和超精密機械加工技術的發(fā)展而發(fā)展起來的一個新的多學科交叉的高，是指可批量制作的、集微型機構(gòu)、微型傳感器、微型執(zhí)行器以及信號處理和控制電路、直至接口、通...

本發(fā)明涉及半導體制造，尤其涉及一種解決鍵合晶圓塌膜的方法。、在現(xiàn)有技術中，業(yè)內(nèi)制備csoi（空腔絕緣硅）片時，通常采用表面形成有腔體（cavity）結(jié)構(gòu)的晶圓與裸晶圓（bare?wafer）進行鍵合，隨后通過減薄加工工藝對鍵合后的晶圓進行處理，以獲得滿足預設厚度及性能要求的csoi片；然而...

本發(fā)明屬于鈣鈦礦太陽能電池領域，具體涉及到一種新型的疏水自清潔結(jié)構(gòu)的設計。、自工業(yè)革命啟動以來，科技的迅猛發(fā)展促使全球范圍內(nèi)對重工業(yè)的投入持續(xù)加大，帶動了各種能源的廣泛開采和利用。這些能源不僅助力了人類生活的各個方面，也在一定程度上提升了人們的生活質(zhì)量。然而，人們生活質(zhì)量的提升離不開我們對...

本發(fā)明屬于半導體，具體涉及一種晶圓級封裝結(jié)構(gòu)及方法。、目前晶圓級封裝采用ausn焊料，將硅窗片和mems晶圓鍵合完成，采用ti/cu作為種子層，并且電鍍cu作為緩沖層，以及ni作為阻擋層。硅窗片種子層之下為硅基底，mems晶圓種子層下為ti/al金屬材料和cmos沉積的多層氧化硅材料，或者...

本發(fā)明屬于mems傳感器封裝，涉及一種mems傳感器輔助批量引線裝置及方法。、mems(微機電系統(tǒng))傳感器憑借微型化、高集成度等顯著優(yōu)勢，在汽車電子、消費電子以及工業(yè)控制等眾多領域得到了極為廣泛的應用。在mems傳感器的封裝流程中，引線鍵合(wire?bonding)作為連接傳感器與外部電...

本發(fā)明涉及一種用于制造微結(jié)構(gòu)的方法。通常，微結(jié)構(gòu)是以微機電系統(tǒng)(mems)的形式，其需要去除相對于基底或其他沉積材料的材料。特別地，本發(fā)明涉及一種改進的制造微結(jié)構(gòu)的方法，所述方法采用通過氟化氫(hf)蒸氣蝕刻二氧化硅的步驟。、氧化硅的各向同性蝕刻廣泛地用于半導體和mems處理，主要用于晶片...

本發(fā)明涉及一種微納加工方法，尤其涉及一種基于共混聚合物相分離的防指紋柔性表面的制備和應用。、觸控屏、可穿戴設備、柔性電子器件等設備頻繁使用所帶來的指紋污染會直接影響使用體驗。指紋主要由水和皮膚油脂組成，皮脂與汗液在透明表面形成不均勻膜層，顯著降低透光率，產(chǎn)生眩光、霧化，導致顯示內(nèi)容模糊不清...

本發(fā)明涉及一種用于制造微結(jié)構(gòu)的方法。通常，微結(jié)構(gòu)是以微機電系統(tǒng)(mems)的形式，其需要去除相對于基底或其他沉積材料的材料。特別地，本發(fā)明涉及一種改進的制造微結(jié)構(gòu)的方法，所述方法采用通過氟化氫(hf)蒸氣蝕刻二氧化硅的步驟。、氧化硅的各向同性蝕刻廣泛地用于半導體和mems處理，主要用于晶片...

本發(fā)明屬于太赫茲和半導體制造領域，具體涉及一種硅基太赫茲電路中異形腔體結(jié)構(gòu)加工方法。、太赫茲波具有頻帶寬、能量低、相干性好等性質(zhì)，廣泛應用于無線通訊、無損探測等領域。傳統(tǒng)太赫茲電路和系統(tǒng)的波導腔體主要依賴數(shù)控機床加工完成，隨著器件頻率的提高，腔體特征尺寸降至微米級，表面粗糙度降至納米級，數(shù)...