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本申請(qǐng)涉及集成電路領(lǐng)域，特別是涉及一種基于fefet的多功能存內(nèi)計(jì)算單元、陣列和電路。、新型非易失性存儲(chǔ)器（nonvolatile?memory，nvm）因兼具高密度存儲(chǔ)與原位運(yùn)算潛力，成為突破傳統(tǒng)架構(gòu)限制的重要方向。目前，阻變存儲(chǔ)器（resistive?random?accessmemo...

本文中公開的至少一些實(shí)施例大體上涉及存儲(chǔ)器裝置，且更特定來說(但不限于)，涉及具有使用鐵電隧道結(jié)(ftj)作為存儲(chǔ)元件的存儲(chǔ)器單元的三維陣列的存儲(chǔ)器裝置。、有限存儲(chǔ)器帶寬是機(jī)器學(xué)習(xí)系統(tǒng)中的一個(gè)重要問題。舉例來說，用于當(dāng)前系統(tǒng)中的dram裝置存儲(chǔ)用于深度神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)(dnn)中的大量權(quán)重及激活。...

本申請(qǐng)涉及存儲(chǔ)器，特別是涉及一種數(shù)據(jù)讀取方法、裝置、磁性存儲(chǔ)系統(tǒng)及電子設(shè)備。、目前，高速緩存的磁性存儲(chǔ)器中的讀取方法通常是當(dāng)讀取數(shù)據(jù)時(shí)，向磁性存儲(chǔ)器輸送讀取信號(hào)，基于磁性隧道結(jié)(mtj)結(jié)構(gòu)的隧穿磁電阻(tmr)效應(yīng)來實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的讀取。然而，該讀取方法下若讀取信號(hào)存在延遲，會(huì)影響讀取速度，此...

本申請(qǐng)涉及存儲(chǔ)，特別涉及一種存儲(chǔ)器、存儲(chǔ)系統(tǒng)以及存儲(chǔ)器的操作方法。、在向d?nand（與非門）等存儲(chǔ)器寫數(shù)據(jù)時(shí)，為了避免后續(xù)讀數(shù)據(jù)出錯(cuò)，可以根據(jù)寫入的數(shù)據(jù)生成校驗(yàn)數(shù)據(jù)。這樣，在從存儲(chǔ)器中讀取到數(shù)據(jù)時(shí)，根據(jù)校驗(yàn)數(shù)據(jù)對(duì)讀取到的數(shù)據(jù)進(jìn)行校驗(yàn)，如果校驗(yàn)失敗，則可以根據(jù)校驗(yàn)數(shù)據(jù)恢復(fù)出正確的數(shù)據(jù)。其中...

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體，尤其涉及一種用于磁存儲(chǔ)器的測(cè)試結(jié)構(gòu)及測(cè)試方法。、在磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（magneto-resistive?random?access?memory，簡(jiǎn)稱?mram）的研發(fā)與制造中，精確測(cè)量其核心部件——磁隧道結(jié)（magnetic?tunnel?junction?，簡(jiǎn)稱mtj...

本發(fā)明涉及基于三晶體管存算器件陣列的校準(zhǔn)電路及校準(zhǔn)方法，屬于模擬集成電路。、傳統(tǒng)計(jì)算機(jī)遵循馮諾曼架構(gòu)，其計(jì)算與存儲(chǔ)分離的設(shè)計(jì)導(dǎo)致了數(shù)據(jù)在處理器與內(nèi)存間的頻繁搬運(yùn)耗費(fèi)大量時(shí)間和能量；尤其在運(yùn)行以神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)算法為代表的一系列算法中，反復(fù)大量的數(shù)據(jù)搬運(yùn)嚴(yán)重制約了系統(tǒng)效率。為克服上述問題，存算一體技...

本公開內(nèi)容涉及存儲(chǔ)器裝置、存儲(chǔ)器控制器、包括存儲(chǔ)器裝置和存儲(chǔ)器控制器的存儲(chǔ)器系統(tǒng)及其操作方法。、近年來，諸如固態(tài)硬盤(ssd)、非易失性存儲(chǔ)器快速(nvme)、嵌入式多媒體卡(emmc)、以及通用閃存存儲(chǔ)(ufs)裝置等的非易失性存儲(chǔ)裝置由于其優(yōu)于傳統(tǒng)硬盤驅(qū)動(dòng)器(hdd)許多優(yōu)點(diǎn)(諸如更快...

本公開大體涉及存儲(chǔ)器裝置。、存儲(chǔ)器裝置廣泛用于在各種電子裝置(例如計(jì)算機(jī)、無線通信裝置、相機(jī)、數(shù)字顯示器及類似者)中存儲(chǔ)信息。信息通過對(duì)存儲(chǔ)器裝置的不同狀態(tài)進(jìn)行編程來存儲(chǔ)。舉例來說，二進(jìn)制裝置常常存儲(chǔ)通常由邏輯或邏輯表示的兩種狀態(tài)中的一者。為了存取經(jīng)存儲(chǔ)信息，裝置的組件可讀取或感測(cè)存儲(chǔ)器裝...

本公開涉及用于多電平存儲(chǔ)器單元的組合邏輯。、存儲(chǔ)器裝置將信息存儲(chǔ)在例如計(jì)算機(jī)、無線通信裝置、相機(jī)、數(shù)字顯示器等各種電子裝置中。信息是通過將存儲(chǔ)器裝置內(nèi)的存儲(chǔ)器單元編程到各種狀態(tài)來存儲(chǔ)的。舉例來說，二進(jìn)制存儲(chǔ)器單元可被編程到兩個(gè)所支持狀態(tài)中的一個(gè)，通常由邏輯或邏輯表示。在一些實(shí)例中，單個(gè)存儲(chǔ)...

本公開涉及半導(dǎo)體芯片，尤其涉及一種存儲(chǔ)器的編程方法、存儲(chǔ)器及存儲(chǔ)系統(tǒng)。、目前，在對(duì)存儲(chǔ)單元進(jìn)行編程時(shí)，其采用的編程方式為順序編程。采用順序編程方式對(duì)字線耦接的存儲(chǔ)單元進(jìn)行編程，會(huì)導(dǎo)致字線之間產(chǎn)生耦合效應(yīng)，從而對(duì)存儲(chǔ)單元的編程過程產(chǎn)生影響。技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路、本公開公開的實(shí)施例提供一種存儲(chǔ)器的編程...

本公開涉及存儲(chǔ)器，具體而言，涉及一種存儲(chǔ)器、存儲(chǔ)器操作方法及存儲(chǔ)系統(tǒng)。、閃存存儲(chǔ)器是一種可以被電擦除并重新編程的使用廣泛的非易失性存儲(chǔ)器。閃存存儲(chǔ)器包括nor閃存存儲(chǔ)器和nand閃存存儲(chǔ)器?？梢詫㈤W存存儲(chǔ)器中的存儲(chǔ)單元的閾值電壓改變?yōu)槠谕娖?，以?zhí)行讀取、編程和擦除操作。對(duì)于nand閃存存...

本發(fā)明涉及內(nèi)存芯片，尤其涉及一種內(nèi)存芯片質(zhì)量測(cè)試方法、裝置、電子設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)。、在高速數(shù)字集成電路（如ddr、lpddr內(nèi)存芯片）的生產(chǎn)測(cè)試與質(zhì)量驗(yàn)證中，信號(hào)完整性已成為決定產(chǎn)品可靠性和性能的關(guān)鍵因素。隨著數(shù)據(jù)傳輸速率攀升至每秒數(shù)千兆比特（gbps），微小的時(shí)序偏差或電壓噪聲都可能導(dǎo)致災(zāi)...

本發(fā)明涉及硬盤測(cè)試，尤其涉及一種加快固態(tài)硬盤測(cè)試的方法。、在sata固態(tài)硬盤的生產(chǎn)測(cè)試領(lǐng)域，現(xiàn)有測(cè)試方法普遍采用對(duì)單塊固態(tài)硬盤執(zhí)行全盤數(shù)據(jù)寫入后再進(jìn)行讀取比對(duì)的方式。由于sata固態(tài)硬盤的硬件特性，其在數(shù)據(jù)寫入過程中，會(huì)先將可用的tlc存儲(chǔ)空間轉(zhuǎn)換為slc緩存以實(shí)現(xiàn)高速寫入，當(dāng)slc緩存寫...

本發(fā)明涉及微電子器件，特別涉及一種tcbram存內(nèi)計(jì)算單元電學(xué)特性測(cè)試系統(tǒng)和測(cè)試方法。、隨著數(shù)據(jù)爆炸式增長(zhǎng)和智能化應(yīng)用的普及，計(jì)算與存儲(chǔ)的高效整合逐漸成為行業(yè)關(guān)注的焦點(diǎn)，推動(dòng)了對(duì)計(jì)算架構(gòu)的重新設(shè)計(jì)。存算一體(又稱：存算融合、存內(nèi)計(jì)算、存內(nèi)處理等)架構(gòu)在內(nèi)存單元中可原位執(zhí)行計(jì)算任務(wù)，從而實(shí)現(xiàn)...

本申請(qǐng)屬于半導(dǎo)體芯片，尤其涉及一種存儲(chǔ)裝置、存儲(chǔ)裝置操作方法及存儲(chǔ)系統(tǒng)。、nand閃存作為一種非易失性存儲(chǔ)裝置，具有成本低、容量高、改寫速度快等優(yōu)點(diǎn)。在nand閃存中，通常外圍電路向存儲(chǔ)單元供電，以實(shí)現(xiàn)各種邏輯操作，例如，讀取（read）操作、編程（program）操作和擦除（erase）...

本申請(qǐng)涉及存儲(chǔ)，特別是涉及一種基于雙bank?異構(gòu)的自適應(yīng)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器、控制方法、介質(zhì)、終端及程序產(chǎn)品。、當(dāng)前動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（dynamic?random?access?memory?，dram）普遍采用統(tǒng)一的bank架構(gòu)設(shè)計(jì)，即所有bank的子陣列（subarray）的行數(shù)相同...

本公開涉及用于具有基于激活的計(jì)數(shù)存取計(jì)數(shù)更新和后臺(tái)刷新的存儲(chǔ)器陣列的設(shè)備和方法。、信息可存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器裝置的存儲(chǔ)器單元上。存儲(chǔ)器單元可組織于字線(行)和位線(列)的相交處。存儲(chǔ)器單元中的信息可隨時(shí)間推移而衰減。舉例來說，信息可作為可隨時(shí)間推移而衰減的電荷存儲(chǔ)在電容器上。存儲(chǔ)器裝置可執(zhí)行刷新操...

本公開涉及半導(dǎo)體芯片，尤其涉及一種存儲(chǔ)器及存儲(chǔ)系統(tǒng)。、隨著人工智能的不斷發(fā)展，主機(jī)設(shè)備對(duì)算力需求越來越高。在現(xiàn)有的計(jì)算架構(gòu)中，主機(jī)與存儲(chǔ)系統(tǒng)之間通過數(shù)據(jù)總線互連。當(dāng)主機(jī)有計(jì)算需求時(shí)，主機(jī)需要從存儲(chǔ)系統(tǒng)中讀取數(shù)據(jù)以進(jìn)行計(jì)算，并將運(yùn)算得到的結(jié)果寫回存儲(chǔ)系統(tǒng)中存儲(chǔ)，存儲(chǔ)系統(tǒng)無法為主機(jī)分擔(dān)計(jì)算任務(wù)...

本發(fā)明涉及內(nèi)存顆粒，尤其涉及一種內(nèi)存顆粒燒錄方法、裝置、電子設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)。、隨著ddr內(nèi)存速率攀升至ddr-mt/s及以上，數(shù)據(jù)總線對(duì)阻抗波動(dòng)極為敏感。內(nèi)存顆粒的輸出驅(qū)動(dòng)器與傳輸線特性阻抗的微小偏差會(huì)引發(fā)信號(hào)反射，嚴(yán)重削弱時(shí)序裕量。zq校準(zhǔn)的核心是一個(gè)高精度外部參考電阻，內(nèi)存顆粒通過內(nèi)部...

本申請(qǐng)涉及內(nèi)存管理領(lǐng)域，更具體地，本申請(qǐng)涉及一種ddr內(nèi)存頻率切換測(cè)試方法及裝置。、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（double?data?rate，ddr）作為智能終端中關(guān)鍵的系統(tǒng)級(jí)資源，其工作頻率直接影響設(shè)備的數(shù)據(jù)吞吐能力、應(yīng)用響應(yīng)速度以及整體功耗表現(xiàn)。在安卓系統(tǒng)中，為在性能與功耗之間取得平衡，引...