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本發(fā)明涉及等離子體處理裝置、控制方法和控制程序。、等離子體處理裝置在基片的等離子體處理中使用。在等離子體處理裝置的腔室內(nèi)，基片配置在由被稱為邊緣環(huán)或聚焦環(huán)的環(huán)狀部件包圍的區(qū)域內(nèi)。、當利用等離子體處理裝置執(zhí)行等離子體處理時，環(huán)狀部件會消耗而其厚度減少。隨著環(huán)狀部件的厚度的減少，環(huán)狀部件的上方...

本申請案主張年月日提交的題為「doping?profile?for?reducedfloating?body?effect?in?f?dram」的第/,號美國專利申請案的優(yōu)先權(quán)，現(xiàn)將其全文并入本申請案作為參考。本公開內(nèi)容大抵描述了f動態(tài)隨機存取存儲器陣列的設計。更具體地說，本公開內(nèi)容描述了一種具有...

本公開內(nèi)容涉及半導體，并且更具體而言，涉及用于測試半導體芯片封裝的系統(tǒng)和方法。、隨著g網(wǎng)絡的廣泛采用以及大數(shù)據(jù)和人工智能(ai)的快速發(fā)展，終端客戶對存儲的需求急劇增加。這需要不斷改進半導體芯片的單個封裝的容量。目前，存在兩種用于提高封裝能力的主流技術(shù)。一種方法是增加單個管芯的存儲密度，這...

、在包含數(shù)字電路和集成電路的電子系統(tǒng)中，由振蕩器產(chǎn)生的時鐘信號可用于使電路系統(tǒng)的功能同步。本質(zhì)上，時鐘信號幫助電路同時起作用或復位，這可改進個別電路和電子系統(tǒng)整體的性能。時鐘信號為基于占空比在邏輯低狀態(tài)(“”)或“關(guān)(off)”與邏輯高狀態(tài)(“”)或“開(on)”之間轉(zhuǎn)變的電子邏輯信號。在...

本發(fā)明涉及半導體基板以及電力轉(zhuǎn)換裝置。、例如，在專利文獻中公開有具備半導體元件的半導體模塊。專利文獻公開的半導體模塊具備并聯(lián)連接而構(gòu)成上臂的第一半導體元件和第二半導體元件。另外，專利文獻公開的半導體模塊具備并聯(lián)連接而構(gòu)成下臂的第三半導體元件和第四半導體元件。、現(xiàn)有技術(shù)文獻、專利文獻、專利文...

本發(fā)明涉及通信，尤其涉及一種氮化鎵功率晶體管的柵極電壓智能控制方法、系統(tǒng)及裝置。、ganhemt（氮化鎵高電子遷移率晶體管）功率放大器因其高功率、高效率的特性被廣泛應用于現(xiàn)代通信系統(tǒng)中。然而，其較大的熱阻導致在高占空比或連續(xù)工作條件下，半導體結(jié)溫會顯著上升，進而引起靜態(tài)工作點漂移、增益變化...

本發(fā)明屬于磁傳感技術(shù)設計及制造，特別是涉及一種兩差分d霍爾集成芯片及其設計方法。、霍爾元件（hall?element）是一種基于霍爾效應（hall?effect）工作的傳感器，用于檢測磁場的存在和變化?；魻栐墓ぷ髟硎牵寒斠粋€導體或半導體材料中的電荷載流子通過一個垂直于電流方向的磁場時...

本發(fā)明涉及半導體，具體涉及一種基于動態(tài)自適應的引線鍵合方法、裝置、設備及存儲介質(zhì)。、引線鍵合是半導體封裝過程中實現(xiàn)芯片與外部電路電氣互連的關(guān)鍵工藝步驟，通常通過金屬引線將芯片焊盤與封裝基板或引線框架上的對應引腳相連接。在鍵合過程中，金屬引線在兩個焊點之間形成特定的三維空間結(jié)構(gòu)，業(yè)界稱之為線...

本發(fā)明涉及半導體先進封裝領(lǐng)域，特別涉及一種玻璃中介層堆疊基板及半導體封裝結(jié)構(gòu)。、在ai和高性能計算芯片對算力需求激增的背景下，gpu、hbm等芯片的熱密度與信號傳輸速率顯著提升，傳統(tǒng)玻璃中介層基板采用單一襯底材料和多層rdl布線結(jié)構(gòu)，難以兼顧多芯片的熱-電-力特性差異，面臨以下諸多挑戰(zhàn)：多...

本發(fā)明涉及半導體封裝，特別涉及一種異質(zhì)器件板級集成封裝結(jié)構(gòu)及方法。、隨著集成電路制程工藝發(fā)展逐漸逼近物理極限，行業(yè)進入了“后摩爾時代”。在這一背景下，先進封裝技術(shù)扮演著愈發(fā)關(guān)鍵的角色，其通過“以封裝換空間、換性能”的理念，為實現(xiàn)電子系統(tǒng)的小型化、高性能和高可靠性提供了核心路徑。其中，將無源...

本發(fā)明涉及l(fā)ed燈串，尤其是涉及一種具有雙模態(tài)數(shù)據(jù)傳輸?shù)娜€可在線寫址點控led燈串。、led燈串由于其色彩豐富，耗能較少，被廣泛用于戶內(nèi)或戶外的裝飾結(jié)構(gòu)中，所述的led燈串通常包括一根燈線以及設置于燈線上的若干燈珠，燈線內(nèi)設有若干根電線，所述的燈線整體絕緣性好，并且有較好的防水防潮效果，...

本發(fā)明涉及半導體，特別涉及一種半導體器件。、溝槽柵?sic?mosfet?器件以其優(yōu)秀的比導通電阻特性在功率器件領(lǐng)域具備很強的競爭力，但是溝槽底部柵氧化物的高電場問題通常需要額外的保護區(qū)來緩解，這些保護區(qū)的引入或降低溝道密度或引入較高的jfet電阻，存在溝道有效利用率低，影響器件比導通電阻...

本申請涉及半導體制造，特別是涉及一種半導體器件及其制造方法。、全耗盡型絕緣體上硅（fully?depleted?silicon-on-insulator，fd-soi）制程，通過制備埋入氧化層（buried?oxide，box）使得pn結(jié)（pn?junction）停留在埋入氧化層上，以解決...

本申請涉及顯示，尤其是涉及一種顯示面板和顯示裝置。、oled（organic?light-emitting?diode，有機發(fā)光二極管）顯示器件由于自發(fā)光、廣色域、低功耗、可實現(xiàn)柔性顯示等優(yōu)點被廣泛應用。oled顯示器件會采用像素驅(qū)動電路進行驅(qū)動，但在oled顯示器件的使用過程中，發(fā)現(xiàn)部分...

本發(fā)明涉及電路器件，特別涉及一種熱固型零件底座、電子元件的固定方法以及電路板組件。、隨著時代變遷、科技進步，各行各業(yè)日新月異。特別是電子類產(chǎn)品，自從進入數(shù)字化時代，各種電子產(chǎn)品越做越精致，功能越來越強大。在這些電子產(chǎn)品中一些零件已做得很小像電阻、小容量電容、電感、芯片等，但還有一些大容量電...

本發(fā)明涉及電路板生產(chǎn)，尤其與一種光模塊電路板線路均勻性控制方法相關(guān)。、光模塊電路板作為光通信系統(tǒng)中的核心組件之一，負責電信號與光信號之間的轉(zhuǎn)換，其在光纖通信中起著至關(guān)重要的作用，直接影響通信的質(zhì)量和速度，而線路均勻性是直接影響光模塊電路板的性能、可靠性和使用壽命的一個關(guān)鍵因素。、現(xiàn)有技術(shù)中...

本申請涉及半導體，更為具體地說，涉及一種半導體結(jié)構(gòu)及其制備方法和電子設備。、cowos（chip?on?wafer?on?substrate）是一種整合生產(chǎn)技術(shù)，先將裸片通過cow（chip?on?wafer）的封裝制程連接至硅晶圓，再把cow芯片與封裝基板（substrate）連接，整合...

本發(fā)明屬于微組裝夾具，特別是涉及一種適用于多種產(chǎn)品的自動粘接與鍵合工裝及其使用方法。、隨著半導體及光電子器件向著小型化、高集成度方向發(fā)展，其核心的芯片粘接和引線鍵合技術(shù)對精度和效率的要求日益嚴苛。傳統(tǒng)專用工裝夾具因其設計制造周期長、換產(chǎn)調(diào)試繁瑣、儲存管理成本高昂，已難以適應多品種、小批量的...

本申請涉及電路板技術(shù)，具體涉及一種埋置nfc芯片高速光通訊模組電路板及其制作方法。、隨著ai需求的爆發(fā)，ai算力相關(guān)的設備需求持續(xù)升級，高速連接器、高速光模塊類印制電路板的傳輸要求從g快速提升至g及.t，對印制電路板的材料及影響信號傳輸?shù)淖杩箍刂埔笤絹碓礁?，常?guī)的過程加工數(shù)據(jù)追蹤管理已經(jīng)...

本發(fā)明涉及功率mosfet器件，特別涉及一種具有三層緩沖層的高可靠性mos器件結(jié)構(gòu)及制備方法。、航天電子、核能控制等極端輻射場景對功率半導體器件的可靠性提出嚴苛需求，目前抗輻射器件結(jié)構(gòu)存在三大瓶頸，一是材料局限性，硅基器件抗輻射天花板顯著，sic/gan寬禁帶器件面臨界面缺陷放大輻射損傷的...